2본부 1부 4센터 9실

반도체(시스템반도체) 소자 및 소부장, 센서(IR 등), 나노바이오칩 등 반도체 기반 제조공정, 특성분석평가

• 

  나노공정

• 

  나노 구조 시스템 및 소재

• 

  나노바이오

• 

  특성평가 분석

• ‌연구장비 : 나노공정(CMOS, MEMS) 247대(12인치 테스트베드 10대 포함), 나노바이오 12대, 특성평가 64대, 신소재 14대, 기타 27대 등 364대 구축
• 연구시설 : 클린룸 5,067m² (지상2층), 연구동 16,679m² (지하1층~지상9층), CUB동 4,687m² (지상4층)

• 

  300mm 액침 불화아르곤 엑시머 레이저 노광기

  • 주요 사양 및 성능
    • 웨이퍼 크기 : 12인치
    • 노광광원 : 파장 193 nm
      • ArF excimer laser
    • 해상도 : 45 nm 이하
    • N.A. 0.85–1.35 (variable)
    • Alignment 정도
      • 45 nm 이하 ( │x│+3σ)
    • Field size, for reticle
      • X: 26.0 mm Y: 33.0 mm
  • 제조사 : ASML
• 

  300mm 화학기상증착 시스템300mm PECVD

  • 주요 사양 및 성능
    • 웨이퍼 크기 : 12인치
    • Showerhead-type PECVD
    • 3Twin PECVD Chamber
      • TEOS USG - Silane based Oxide/Nitride
      • ACL(Amorphous Carbon Layer)
    • Heater Temp. R.T to 550 ℃
    • HF/LF RF Plasma
    • Thickness Uniformity
      • Max-Min <3.5% (WiW/WtW)
  • 제조사 : AMAT
• 

  CD-SEM (300mm)

  • 주요 사양 및 성능
    • 웨이퍼 크기 : 12인치
    • Detection method
      • BSE direct detection
      • Energy filter
    • High Ip(max 500 pA) availability
    • Process Specification
      • Precison : 0.15 nm
      • Effective Resolution : 1.35 nm
      • Detector : Upper - direct/Lower – converting
      • Throughput : 60 WPH
      • Max. image pixel size 2048x2048
  • 모델명(제조사) : CG6300(Hitachi)
• 

  Dielectric Etcher

  • 주요 사양 및 성능
    • 웨이퍼 크기 : 12인치
    • CCP Type
    • Power Source: 2Mhz, 27Mhz, 60Mhz (RF Pulsing)
    • Dual Upper Electrode Temp Tuning
    • High ESC Temp : ~80 ℃
    • Etch rate (Oxide) : ~ 3000Å / min
    • Gas: O₂, N₂, CH₃F, CF₄, CHF₃, NF₃, COS, Ar, C₄F₆, F₄F₈
    • Tuning Gas : O₂, C₄F₈, C₄F₆, CH₂F₂
    • O₂(20/200/3000 sccm), N₂(100 sccm), CH₃F(200 sccm)
    • CF₄(200 sccm), CHF₃(200 sccm), NF₃(50 sccm), COS(50 sccm)
    • Ar(1000 sccm), C₄F₆(200 sccm, Tun 10 sccm)
    • F₄F₈(200 sccm, Tun 20 sccm), CH₂F₂(Tun 10 sccm)
  • 모델명(제조사) : FLEX GX(Lam Research)
• 

  Oxidation Furnace

  • 주요 사양 및 성능
    • 300mm Oxidation Furnace for Full Automation
    • EFEM(Stocker + FIMS)
    • 300mm Oxidation Furnace for Full Automation
    • 5 zone heating control
    • Boat rotation
    • External torch system
    • Process : Wet oxidation / Dry oxidation / Anneal
    • Gas : H₂ / O₂ / N₂
    • Process temp : 800℃ ~ 900℃
    • Thickness non-uniformity ≤ 3% @ 1000Å
  • 모델명(제조사) : TERA300SE(원익IPS)
• 

  LPCVD NIT Furnace

  • 주요 사양 및 성능
    • 300mm LPCVD Furnace for Full Automation
    • EFEM(Stocker + FIMS)
    • FOUP transfer robot / wafer transfer robot
    • 5 zone heating control
    • Boat rotation
    • Cold trap
    • Process : LPCVD silicon nitride
    • Gas : NH₃ / DCS(SiH2Cl2) / N₂
    • Process temp : 700℃ ~ 780℃
    • Thickness non-uniformity ≤ 5% @ 1000Å
  • 모델명(제조사) : DJ-1224VN(Kokusai Electric Korea)

반도체 테스트베드 활용 소부장 기술개발 및 성능평가지원(장비서비스 및 공동기술개발사업 추진 등)

• 반도체 소재 : 포토레지스트용 소재, 실리콘 기판소재, 공정용 가스 및 케미컬 소재, 각종 메탈 타겟소재, 슬러리 및 스트리퍼 등
• 반도체 부품 : 장비용 부품, 이송용 부품, 공정시설용 부품
• 반도체 장비 : 노광, 식각, 세정, 증착, 평탄화, 이온주입 관련장비 등

• • 연구 책임자

    이석재

  • E-mail

    sjlee@nnfc.re.kr

  • Tel

    042-366-1630

• • 실무 담당자

    오재섭

  • E-mail

    jhoh@nnfc.re.kr