N-FACILITY

국가연구시설

소재·부품·장비분야 산업현장의 기술적 난제 및
애로사항 해결을 지원합니다.

1협의체 소개
  • 서울대학교 반도체공동연구소는 반도체 기초연구와 고급 인재양성을 목적으로 대한민국 최초의 연구 장비 공동 활용을 위한 연구시설로 1988년 개소
  • 설립목적 및 기능
    • 반도체 분야의 전국대학 기초 연구를 위한 인프라 제공
    • 학부과정과 석·박사 과정 학생들을 위한 실습교육
    • 산업체 위탁교육 및 산·학·연 공동 연구
    • 벤처보육
  • 서울대학교 반도체공동연구소는 30여 년간 기업체 인원 4천9백여 명 포함 총 1만7천여 명의 교육생 배출과 연간 2만3천여 건 이상의 장비를 공동 활용하며 최고 수준의 교육 및 연구역량과 연구시설의 운영 노하우 보유
    연구
    ('89~'20년)
    교육
    ('89~'20년)
    장비활용
    ('01~'20년)
    벤처보육
    ('89~'20년)
    • 연구과제 3,351건(약3,212억원)
    • 논문(3,475건)
    • 특허(758건)
    • 석사(1,158명)
    • 박사(659명)
    • 공정장비 연구원(743명)
    • 공정 교육생(16,895명*)
    • 기업체 4,902명 포함
    • 456,803건(연 2만3천건 이상) 전국대학, 연구소, 기업체 대상
    • 실리콘이미지 외 28개사
  • 미래지향적 융합연구 및 교육을 강화하기 위하여 나노융합 인력양성센터 구축 및 연구시설 리모델링 등 반도체공동연구소의 고도화사업을 진행 중
2구성·조직(시설현황 등) 구성·조직

‌5개의 연구센터, 48개의 참여 연구실, 장비 전담 운영인력, 행정인력으로 구성

구성·조직
시설현황
  • 본관(104동)
    • 지하1층, 지상 2층 철근 콘크리트 연와조
    • 연건평 : 1,402평(4,634 m2)
    • 청정실(Fab.) 1·2층 총평수 583평(1,928 m2)
    • 측정분석실(L1, L2, L3), Facility동(886 m2)
    • 독성가스 모니터링 시스템 구축 , 청정실 온·습도 및 공조 자동시스템 구축
    • 연구실, 회의실, 세미나실, 벤처창업공간 등
    본관(104동)
  • 설계연구관(104-1동)
    • 지상5층 철근 콘크리트 연와조
    • 연건평 : 1,711평(5,655 m2)
    • 디스플레이센터(4·5층)
    • 차세대회로설계센터
    • 내장형시스템연구센터
    • 뉴럴프로세싱연구센터
    • 설계측정실, 도연홀(국제회의실), 휴게공간 등
    설계연구관(104-1동)
3지원분야(지원범위, 지원시설)

서울대학교 반도체공동연구소에서는 연구자들의 다양한 기술 응용 및 개발을 위한 표준공정 제공과 연구소에 갖추어진 반도체 연구 인프라를 통한 공정서비스, 반도체 설계 및 각종 공정관련 시뮬레이션 업무 수행이 가능한 설계환경지원, 반도체 연구와 관련한 재료의 유상공급 서비스 제공

연구 지원 분야
  • Si Device & Process Technologies
  • MEMS & Nano-devices
  • Compound Semiconductor
  • Integrated Circuits & Systems
  • Systems Designs & Design Automation
  • Display Technologies & Photonics
  • Biomedical Micro/Nano Device
  • Nano Materials, Devices & Physics
4지원절차(서비스 이용 방법 등) 직접 공정
  • 입소 안전교육 및 생활지침교육을 이수한 입소자 중 장비사용자 교육 후 테스트를 거쳐 장비사용자 권한(USER)을 획득하면 장비의 직접 사용이 가능합니다.
  • 장비사용자 교육은 연구소 홈페이지를 통해 신청 가능
의뢰 공정

연구소 홈페이지를 통해 공정을 위탁하여 의뢰하시면 연구소 전담 인력이 공정 서비스 진행

연구소 공정서비스 절차

연구소 공정서비스 절차

5보유 연구시설 장비

포토리소그래피, 산화/확산 및 이온주입, 금속증착기, 화학기상증착기, 건식식각기, CMP, 측정 및 분석, 설계장비 등 공동 활용 장비 133점 약 293억 원의 연구장비를 365일 24시간 개방하여 운영 중

대표 연구시설·장비
  • Stepper
    Stepper
    • 주요 사양 및 성능
      • PR(i-line용) : TDMR-AR87
      • 파장 : λ=365 nm
      • 배율 : 5:1 축소
      • reticle : 5" mask
      • 적산 노광량 : 600 mW/cm2 or more
      • 공정조건
        • HMDS Hot plate on vapor (110℃)
        • PR coating : Track (10000 Å)
        • Soft bake : Track (Hot plate 88℃, 90sec)
        • Exposure : 400 mJ/min
        • PEB : Track (Hot plate 88℃, 60sec)
        • Develop : AZ300
        • Rinse : D·I water
        • Hard bake : Track (Hot plate 110℃, 90sec)
    • 모델명(제조사) : NSR-2005i10C (Nikon)
  • Medium Ion Implanter
    Medium Ion Implanter
    • 주요 사양 및 성능
      • Dopant : B+, BF2+, As+, P+, Ar
      • Energy range : 5 ~ 200 keV
      • Maximum beam current
        • As+, P+ : 1 mA
        • B+, BF2+ : 0.6 mA
      • Implant dose range
        • As+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
        • P+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
        • BF2+ : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
        • B+ : 1E11 ~ 5E15 ions/cm2
        • Ar : 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
      • Uniformity < ±3%
      • Tilt : 0° ~ 90° ±1°
      • Twist : 0° ~ 360°±1.8°
    • 모델명(제조사) : E220 (Applied Materials)
  • Maskless Parttern System
    Maskless Parttern System
    • 주요 사양 및 성능
      • Maximum exposure area 200×200 mm
      • Reduced projection magnification ×27.36
      • Minimum pixel size 0.5 μm
      • Resolution 0.5μm (Positive PR : t ≦ 0.5 μm)
      • Exposure area for each shot
        • 0.512 (Horizontal)×0.384 (Vertical) mm
      • Light source LD (Laser)
      • Wave length 405 nm
      • Output Power 10W(LD)
      • Dose power 30 W/cm2 or higher(LD)
      • Maximum throughput 250 mm2 /min or faster (@50 mJ/ cm2)
      • Repeat positioning accuracy ±0.1 μm (built-in linear encoder)
    • 모델명(제조사) : DL-1000HP (Nano System Solutions)
  • Deep Si Etcher
    Deep Si Etcher
    • 주요 사양 및 성능
      • pump
        • Dry Pump Leybold 100P 800 ℓ/min
        • Turbo Pump Leybold 1000C 1000 ℓ/sec
      • RF Generator
        • Coil : RFPP 1000 W (13.56MHz)
        • Planten : RFPP 555 W (13.56MHz)
      • gas
        • C4F8 : 200 sccm
        • Ar : 100 sccm
        • SF6 : 200 sccm
        • O2 : 100 sccm
      • Process Recipe
        • Bos – 535
        • Polymer dep. – Polymer etch – Si etch
    • 모델명(제조사) : SLR-770-10R-B (Plasma-Therm)
6기업 대상 안내 가능한 지원 항목
  • 반도체 소자 및 소부장 센서(CMOS, MEMS, Bio 등) 반도체 기반 미세 단위공정 기술개발 및 장비 공동활용 지원 (4&6인치)
  • 중소 벤쳐기업 4&6인치 시제품(소자) 제작 지원(공정 컨설팅 및 일괄공정)
7담당자정보
    • 연구 책임자

      이종호

    • E-mail

      jhlee@snu.ac.kr

    • Tel

      02-880-5440

    • 실무 담당자

      최용윤

    • E-mail

      yyy2k@snu.ac.kr

    • Tel

      02-880-5445