N-FACILITY

국가연구시설

소재·부품·장비분야 산업현장의 기술적 난제 및
애로사항 해결을 지원합니다.

1협의체 소개

나노소재·재료 및 응용분야를 대상으로 장비 및 설비를 지원함으로써 연구개발, 기술사업화, 전문인력 양성 등을 지원하여 나노기술의 미래가치를 실현

  • 산학연을 위한 시설·장비 공동활용 및 연구·기술개발 지원
  • 산업화 공정(양산공정, 시험생산 및 성능평가)을 통한 기업의 상용화 지원
  • 핵심 분야 : 전력반도체 소자, MEMS/NEMS 소자, OLED 디스플레이 소자 등
2구성·조직(시설현황 등)

2부 7팀 전문인력 62명으로 구성

구성·조직
  • 첨단 시설 및 장비의 산·학·연 공동활용 및 소자공정·특성평가 장비서비스
  • 차세대 반도체 (Si, SiC, GaN 전력반도체 등) 분야 단위·요소·일괄공정 기술개발
  • 차세대 디스플레이 분야(OLED 등) 공정기술 개발
  • 나소원천·융합소재 나노단위 3차원 입체분석 기술 개발
  • 차세대 반도체 (Si, SiC, GaN 전력반도체, MEMS센서 등) 기술사업화 지원 및 나노기술 응용제품 일괄제조공정 지원
  • 나노융합 및 반도체 분야 전문인력양성(특성화고교생, 대학(원)생, 재직자 대상)
  • 무한상상실 운영(실험·공방형, 아이디어클럽형, 스토리텔링형)
3지원절차(서비스 이용 방법 등) 장비서비스 이용
장비서비스 이용
  • 홈페이지(www.nano.or.kr)에서 회원가입 및 로그인
  • 장비이용 신청 → 장비서비스 이용
  • 방문 전 건물 및 클린룸 출입 승인 필요
장비서비스 이용료 납부
장비서비스 이용료 납부
  • 장비서비스 이용 후 담당자가 이메일로 이용료 납부 안내
4보유 연구시설 장비

Fab I 및 Fab II(class 10-1000의 클린룸 보유)에 반도체/MEMS 133대, 디스플레이 11대, 특성평가 29대 등 첨단장비 보유

대표 연구시설·장비
  • UHV-CVD
    UHV-CVD
    • 주요 사양 및 성능
      • Base Pressure < 5E-9Torr
      • Gas : Si2H6, GeH4, CH3SiH3, 0.5%B2H6/He, 0.5%PH3/He
      • Thickness Uniformity < 3.0% (1sigma)
      • Process Temp.: 300 ~ 750℃
      • RF Power: 600 W (13.56 MHz)
      • Selective SiGe Epitaxial
      • Uniform Ge Concentration
    • 모델명(제조사) : EUREKA 2000 (주성Eng)
  • E-Beam Lithography
    E-Beam Lithography
    • 주요 사양 및 성능
      • Emitter : ZrO/W
      • Acceleration Vltage : 25 kV, 50 kV, 75 kV, 100 kV
      • Minimum linewidth : 4 nm@100 kV
      • Electron beam current : 5×10-13 ~ 2×10-8 A
      • Electron beam diameter : 1.8 nm @100 kV
      • Work size : Piece ~8” diameter
    • 모델명(제조사) : ELS7000 (ELIONIX)
  • TEM(Transmission Electron Microscopy)
    TEM(Transmission Electron Microscopy)
    • 주요 사양 및 성능

      Cs-Corrected [S]TEM

      • Gun Type: ZrO/W(Thermal FE)
      • Acceleration Voltage: 200 KeV
      • Resolution : 0.102 nm TEM 0.096 nm STEM
      • EELS Resolution : 0.5 eV
      • EDS Resolution : 136 eV
      • Image Cs-Corrector(TEM) & Probe CsCrorrector(STEM)
      • Image Cs-Corrector: Atomic Resolution Imaging
      • In-Column Omega Filter(spherical abberation~ Zero) : Energy Filtered TEM, Elemental Mapping(EELS)
      • Probe Cs-Corrector: STEM-HAADF ~ 0.096 nm STEM-BF ~ 0.14 nm
    • 모델명(제조사) : JEM-2100F/JEM-2200FS
  • FIB(Focused Ion Beam)
    FIB(Focused Ion Beam)
    • 주요 사양 및 성능

      Dual Beam FIB

      • SEM Electron Optics
        • Schottky Field Electron Gun
        • Acc. Voltage: 350 V ~ 30 kV
        • Beam Current: 1 pA ~ 22 nA
        • Resolution : 1 nm at 15 kV
      • Ion Beam Optics
        • Galium Liquid Metal Ion Sourc
        • Acc. Voltage: 500 V ~ 30 kV
        • Beam Current: 1.5 pA ~ 20 nA
        • Resolution : 5 nm at 30 kV
      • Stage
        • XY: 150mm, Z: 10mm
        • Tilt: -10° to +60°

      EBSD-Quantax (CrystAlign 400)

      • Max image resolution : 1600 x 1200 pixels
      • High resolution EBSD detector
      • ARGUS FSE/BSE detector
      • Horizontal TKD Phosphor screen
    • 모델명(제조사) : FEI Helios Nanolab 600
5기업 대상 안내 가능한 지원 항목

반도체, 디스플레이 분야 제조공정 및 측정분석 장비 서비스

6담당자정보
    • 연구 책임자

      강민식

    • E-mail

      mskang21x@gmail.com

    • Tel

      054-279-0217

    • 실무 담당자

      한동희

    • E-mail

      handonghi@postech.ac.kr

    • Tel

      054-279-0216